美国拟千亿美元投入半导体等基础科研 增设白宫首席制造官

美国参议院商务委员会已经起草了一份法案，计划在未来五年对基础研究和科学领域投资千亿美元，并计划设立白宫首席制造官，以应对日益增长的半导体芯片等需求。

本周三，美国参议院商务委员会将就该委员会主席玛丽亚·坎特威尔(Maria Cantwell)以及最高共和党人罗杰·威克尔(Roger Wicker)起草的这份修订草案进行辩论。

根据这份两党起草的《无尽边界法》( “Endless Frontier Act”)，将在未来五年内对人工智能、半导体、量子计算、通讯、生物技术和先进能源等前沿的关键技术领域的基础研究、商业化、培训教育等投入千亿美元；并向指定的超过10个地区技术中心授予100亿美元，以建立供应链危机应对计划，解决半导体短缺等问题。

《无尽边界法》由参议院民主党领袖查克·舒默(Chuck Schumer)和共和党参议员托德·扬(Todd Young)在2020年共同发起，提议重新命名美国国家科学基金会(NSF)为美国国家科学技术基金会(NSTF)，并设立类似美国国防高级研究计划局(DARPA)的新技术部门。

该法案修订后的版本还将创建新的由参议院确认的白宫首席制造官，负责领导新的制造业和工业创新政策。

上个月，美国参议院商务委员会主席坎特韦尔曾在一场听证会上提议，对科技业进行补贴，以帮助美国更好地与参与全球竞争。

坎特韦尔指出，如果按GDP占比来衡量，美国联邦政府在研发发面的投资创下了45年以来的新低。她表示，拟议的《无尽边界法》将成为美国竞争力的重要驱动力。“国际竞争正在加剧，其他国家也在积极进行创新，挑战美国的创新领导地位。”坎特韦尔说道。

美国共和党参议员维克尔表示，《无尽边界法》的推出是为了帮助美国更好地参与全球竞争，但美国不会采用“自上而下的计划”，通过政府补贴来促进研究和投资。

“对技术和供应链进行战略性投资很重要，但我们不能仅仅通过简单地投入资金来解决问题。”维克尔表示， “如果通过政府补贴的形式来获得资金，但资金的获得者缺乏开展实际有用的研发活动的能力，那么这最终将不利于研发和创新。”